Contact metallurgy development for VLSI logic

Les criteres du choix d'un materiau de contact ohmique pour les circuits logiques VLSI sont discutes. Les problemes de penetration de l'aluminium rencontres dans la metallisation par l'aluminium et l'epitaxie en phase solide associee a la metallisation de Al sur Si font que ces materiaux d'interconnexion sont incompatibles avec la technologie des VLSI. Les caracteristiques de resistance de contact des siliciures de palladium et de platine sont comparees a la resistance de contact obtenue pour une couche de contact en titane. La resistance de contact du siliciure de palladium croit quand on prolonge le recuit a 400°C, tandis que les materiaux PbSi et Ti presentent une resistance de contact stable dans ces memes conditions. On decrit un processus Ti/Al-Cu/Si compatible avec la technique de detachement et de recouvrement partiel des contacts. La retrodiffusion de Rutherford indique que des additions de cuivre et de silicium a la metallisation d'aluminium retarde la reaction Ti-Al. Les donnees de la spectrometrie SIMS montrent une redistribution du silicium pendant le traitement thermique des couches, avec accumulation a l'interface Ti/Al-Cu