Nuevos metodos de caracterizacion optica de semiconductores basados en medidas espectroscopicas de reflexion

La Tesis Doctoral que se presenta, introduce un conjunto de metodos originales para la caracterizacion optica de laminas delgadas de semiconductores, depositados sobre un substrato de vidrio grueso y transparante. Estos metodos permiten obtener las partes real e imaginaria del indice de refraccion complejo, el coeficiente de absorcion, el espesor de la pelicula y el gap optico del material analizado. Se estudia, tambien, el efecto producido en los espectros por la falta de uniformidad de la lamina de semiconductor. Se propone un modelo geometrico con un gradiente de espesor constante que se aplica con exito sobre peliculas reales de distintas composiciones. Se presentan expresiones nuevas para la reflectancia y transmitancia que responden al modelo geometrico anterior. Asimismo, se han derivado, tambien, nuevas expresiones para las envolventes superior e inferior de los espectros de teoricos de reflexion y de transmision. Se presenta la justificacion teorica de un nuevo fenomeno fisico que puede aparecer bajo unas condiciones geometricas muy especificas; se le ha denominado Inversion de Envolventes. Se ha comprobado experimentalmente la aparicion de este fenomeno sobre muestras de la composicion calcogenura vitrea As25S75. Se presenta una generalizacion de las expresiones analiticas para la reflexion, transmision y envolventes superior e inferior de ambas que incluyen el efecto de este fenomeno. Tambien se introduce una nueva expresion analitica que relaciona las envolventes respectivas de espectros de reflexion de peliculas de espesor uniforme con los correspondientes a peliculas de espesor variable, y otra expresion para la envolvente de compresion maxima. Todas estas expresiones anteriores se han aplicado en los metodos propuestos sobre peliculas de distintas composiciones, obteniendose las constantes opticas del material analizado y unas cotas de los errores cometidos.