Dépôt par impulsion et recristallisation, et système de cellules solaires en tandem utilisant du matériau cristallisé/amorphe

La presente invention concerne un procede de depot et de cristallisation de materiaux sur un substrat. Dans un mode de realisation particulier, le procede peut comprendre la creation d'un plasma comportant des especes deposees par brumisation et des especes porteuses d'energie. Durant une premiere periode, aucune tension de polarisation n'est appliquee sur le substrat, et les especes sont deposees sur le plasma via depot par projection plasma. Durant une seconde periode, une tension est appliquee sur le substrat, ce qui attire des ions vers et dans les especes deposees, provoquant de ce fait la cristallisation de la couche deposee. Ce processus peut etre repete jusqu'a l'obtention d'une epaisseur adequate. Dans un autre mode de realisation, la tension de polarisation ou la duree de l'impulsion de polarisation peuvent etre modifiees pour changer l'importance de cristallisation atteinte. Dans un autre mode de realisation, l'utilisation d'un dopant peut permettre de doper les couches deposees.