Collectes d'îles de semi-conducteurs cristallisés latéralement à utiliser dans des transistors à couche mince

La presente invention concerne des collectes d'iles de semi-conducteurs cristallises lateralement a utiliser dans des transistors a couche mince et leurs systemes et procedes de fabrication. Un dispositif d'affichage comprend une pluralite de transistors a couche mince (TFT) sur un substrat, de telle sorte que les TFT sont espaces les uns des autres et qu'ils comprennent chacun une region de canal qui a une microstructure cristalline et une direction le long de laquelle un courant de canal circule. La region de canal de chacun des TFT contient un grain cristallographique qui chevauche la longueur de cette region de canal suivant sa direction de canal. Chaque grain cristallographique de la region de canal de chacun des TFT est physiquement deconnecte de chaque grain cristallographique et cristallographiquement non correle avec celui-ci dans la region de canal de chaque TFT adjacent.