Dispositif d'imagerie à semi-conducteurs

La presente invention augmente la sensibilite de pixels de detection de difference de phase. Un capteur d'image CCD (10) comprend des ensembles de pixels (16) contenant des premier et second pixels (12, 13) et une microlentille (14). Les pixels (12, 13) sont places adjacents dans la direction horizontale. La microlentille (14) est formee en une forme hemispherique. La microlentille (14) a un diametre qui est superieur a la largeur dans la direction verticale de regions rectangulaires (17) ayant un rapport d'allongement vertical/horizontal d'environ 1:2 et comprenant la forme externe d'un ensemble de pixels (12, 13). Les ensembles de pixels (16) configurent une rangee de pixels (18) par alignement d'une pluralite d'entre eux dans la direction horizontale des regions rectangulaires (17). Le capteur d'image CCD (10) comprend une pluralite de rangees de pixels (18) alignees dans la direction verticale des regions rectangulaires (17), et des rangees de pixels (18) adjacentes sont decalees l'une de l'autre par la moitie du pas des regions rectangulaires (17) dans la direction horizontale.