Un estudio del semiconductor CdSe bajo altas presiones

El efecto de las altas presiones hidrostaticas sobre la brecha de energia directa r9v -1ric en muestras monocristalinas de CdSe, con estructura Wurzita, hall sido inveMigadas por medidas de absorcion optica usando la celda yunque de diamante, a temperatura ambiente y para presiones superiores a 4.0 GPa. Del analisis de los datos obtenidos se observa en el rango de estabilidad de la Wurzita un incremento no lineal con la presion del gap directo, correspondiente a UII potencial de deformacion de ay = -2.89 ev' La transicion de fase. de primer orden. de la estructura hexagonal a la estructura sal de roca fue observada a 2.7 GPa en el ciclo de incremento de la presion y a 1.6 GPa en el ciclo de disminucion de la presion, La transicion es estructuralmente reversible y la histerisis de la transicion tambien ha sido cstudiada.