Recuit par laser pour cellules solaires à couche mince

La presente invention concerne un procede permettant de former des cellules solaires a base de seleniure (sulfure) de gallium, d'indium, et de cuivre (cellules CIGS), des cellules solaires a base de tellurure de cadmium (cellules CdTe), et des cellules solaires a base de seleniure (sulfure) d'etain, de zinc, et de cuivre (cellules CZTS), en se servant de techniques de recuit par laser pour recuire les couches d'absorbant et/ou de tampon. Le recuit par laser peut permettre d'obtenir une meilleure cristallinite, une plus faible rugosite de surface, une taille de granularite plus grande, une meilleure homogeneite de composition, une diminution des centres de recombinaison, et une densification accrue. En outre, le recuit par laser peut permettre la formation de phases hors equilibre avec des resultats benefiques.