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71~76と81~86GHzで動作するパワーアンプのための0.1μm InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ:パシベーションとゲートリセスの影響
71~76と81~86GHzで動作するパワーアンプのための0.1μm InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ:パシベーションとゲートリセスの影響
2016
Xu Dong
Chu Kanin
A Diaz Jose
D Ashman Michael
J.J. Komiak
Mt. Pleasant Louis M.
Vera Alice
Seekell Philip
Yang Xiaoping
Creamer Carlton
K. B. Nichols
Duh K. H. George
M Smith Phillip
P.C. Chao
Dong Lin
D Ye Peide
Keywords:
Electronic engineering
Chemical physics
Physics
Engineering physics
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