Compensation process for a polycrystalline silicon ingot bottom Boron

本发明涉及一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。 一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，所述工艺于铸锭炉中进行，包括原料装料步骤，所述原料装料步骤：在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料，铺设面积为坩埚底面积的1/5～1/3，厚度为3～10mm，其上放置普通硅料与硅硼合金原料，且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中。 本发明提供的多晶硅铸锭工艺可以实现硼元素在铸锭内的均匀分布、特别是补偿铸锭底部的低硼元素含量区，硅锭的出成率可以提高5%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得硅锭的效率提高0.1～0.2%。