Temperature Dependence of Emission Properties of Self-Assembled InGaN Quantum Dots

在蓝宝石底层上种由的自我装配的绿射出的 InGaN 量点(QD ) 的排放性质用金属，器官的化学蒸汽免职被温度依赖者光致发光(PL ) 学习大小。作为温度增加(15300 K ) ， PL 山峰精力出现一异常塑造 V (redshiftblueshift ) 变化而不是一塑造 S (redshiftblueshiftredshift ) 变化在绿射出的 InGaN/GaN 多量井典型地观察了 MQW ) 。在半最大值(FWHM ) 的 PL 完整的宽度也出现一塑造 V (decreaseincrease ) 变化。PL 山峰精力的温度依赖和 QD 的 FWHM 被类似于 MQW，处于局部性的状态转的搬运人在起一个重要作用的一个模型很好解释，当在 QD 的局部性的状态的监禁精力在 MQW 比那显著地大时。由分析综合 PL 紧张，在 QD 的局部性的状态的更大的监禁精力被估计是 105.9 兆电子伏，它被与温度考虑乐队差距收缩和搬运人 thermalization 很好解释。在 QD 样品的 nonradiative 联合中心多，这也被发现不到那些在有在内容的一样的 QW 样品。