КОНВЕРСИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ГЛОБУЛЯРНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ SIO2 ПРИ КОРОТКОВОЛНОВОМ ИЗЛУЧЕНИИ

Исследованы спектры отражения от поверхности роста (111) глобулярных фотонных кристаллов с различным диаметром глобул при освещении узкополосным ультрафиолетовым и фиолетовым излучением лазера и светодиодов, а также широкополосным излучением галогенной лампы. Обнаружены интенсивные узкие полосы, отличающиеся по спектральному положению от излучения коротковолновых источников возбуждающего света. Спектральное положение этих полос соответствует спектральному положению стоп-зон и не зависит от длины волны возбуждения. Установлено, что при изменении диаметра глобул форма полосы отражения и ее связь с положением стоп-зоны опала сохраняются. Полученные результаты свидетельствуют о том, что при воздействии на фотонный кристалл коротковолнового излучения происходит конверсия этого излучения в спектральную область стоп-зоны. Микроскопический механизм процессов конверсии может проявляться в трехфотонных параметрических процессах, а также в усилении широкополосной фотолюминесценции, обусловленной присутствием дефектов в кварцевой матрице. Полученные результаты открывают возможности для создания новых типов твердотельных активных сред с оптической накачкой на основе глобулярных фотонных кристаллов.