Dispositif à semi-conducteurs avec région épitaxiale dopée et ses procédés de fabrication

Selon des modes de realisation, la presente invention porte sur une region epitaxiale sur un dispositif a semi-conducteurs. Dans un mode de realisation, la region epitaxiale est deposee sur un substrat par l'intermediaire d'un traitement de depot-attaque chimique, cyclique. Les cavites creees sous l'entretoise durant le traitement de depot-attaque chimique, cyclique, sont remplies par une couche d'encapsulation epitaxiale. La region epitaxiale et la couche d'encapsulation epitaxiale ameliorent la mobilite des electrons au niveau de la region de canal, reduisent les effets de canal court et diminuent la resistance parasite.