Технологические особенности получения тонких функциональных пленок для оптоэлектроники и светотехники и результаты их исследования

Показана роль локализованных экситонов, формирующихся благодаря протекающим диффузным процессам на поверхностных наноразмерных дефектах в зоне раздела слоев разных полупроводниковых материалов и дано обоснование полученным результатам. Приведены результаты измерения времени продольной необратимой релаксации Т1 методом фемтосекундного фотонного эха и их рентгеноструктурного анализа.