Highly Efficient Simplified Organic Light-Emitting Diodes Utilizing F4-TCNQ as an Anode Buffer Layer

我们证明器官的轻射出的二极管(OLED ) 的 electroluminescent 表演被在 ITO 阳极上作为阳极缓冲区层蒸发一部薄 F4-TCNQ 电影显著地改进。有 F4-TCNQ 缓冲区层的 基于Alq3 的 OLED 展出的最佳 2.6 V ，在 13 V 的 39820 cd/m2 的更高的亮度，和在 6 V 的 5.96 cd/A 的更高当前的效率的更低的刺激电压，比常规设备的那些显然优异， 4.1 V 的刺激电压，在 13 V 的 18230 cd/m2 的亮度，和在 10 V 的 2.74 cd/A 的最大的当前的效率)。而且，有缓冲区层不能仅仅增加效率而且简化制造的 F4-TCNQ 的缓冲设备与 F4-TCNQ 作为 p-HTL (在 7V 的 3.11 cd/A ) 在被做进 b-NPB 的做 p 的设备相比处理。做 p 的设备的当前的效率比缓冲设备的低的原因基于做，吸收的测量和器官的材料，和相应洞唯一的设备的当前的密度电压特征的光致发光系列的概念被分析。[从作者抽象]