利用SiCl4／Ar／H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料

利用sicl4／Ar／H。气体的电感耦合等离子体（ICP）干法刻蚀GaAs材料，研究反应气体流量、样品室压力、源功率RF1和RF2等参数对刻蚀速率的影响．结果表明：在反应气体SiCh，Ar和Hz的流量分别为2，4，1mL·min-1，样品室压力为0．400Pa，RF1和RF2的功率分别为120，500W的最佳优化参数下，得到的刻蚀速率为486nm·min-1，且同时满足垂直而光滑的台面．利用该优化后的配方刻蚀GaAs衬底10min后，得到大面积的光滑表面，其粗糙度为0．20nm