Fabrication de réseaux de nanofils verticaux de GaAs sur substrat en Si(100) par une approche descendante

Les nanofils (NFs) III-V suscitent un interet particulier de par leur fort potentiel dans des domaines varies tels que la nanoelectronique, la nanophotonique ou les capteurs biologiques. Afin de favoriser son integration grande echelle, de nombreux travaux ont demontre des syntheses de nanofils III-V sur silicium par croissance catalytique de type Vapeur Liquide Solide (VLS). Neanmoins ces approches sont toujours confrontees a des problemes de reproductibilites (rendement de fils dans la meme direction verticale, dispersion de diametres..) et de miniaturisations (diametre de NFs et espacement inter fils). De plus, elles utilisent des substrats de silicium a direction cristalline particuliere, Si(111). Dans ce papier, nous presenterons une approche alternative, utilisant un procede « top-down » pour fabriquer des reseaux de nanofils verticaux en GaAs sur un substrat Si (100).