Zn^＋注入对p-GaN／Ni／Au欧姆接触特性的影响

首次采用离子注入工艺研究金属电极和P-GaN的欧姆接触特性。Zn为Ⅱ族元素，可以提高P—GaN表面的载流子浓度，对p—GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处进行Zn^＋注入。经Zn^＋注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min，以减少离子注入带来的晶格损伤。研究发现Zn^＋注入改善了P—GaN／Ni／Au的欧姆接触特性，接触电阻率pc从10^-1Ω·cm^2数量级降低到10^-3Ω·cm^2数量级。研究了不同Zn^＋注入剂量（5×10^15、1×10^16、5×10^16cm^-2）对接触电阻率的影响，在注入剂量为1×10^16cm^-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1．45×10^-3Ω·cm^2。用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化，探讨了接触电阻率改变的内在机制。