Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers zur Abscheidung einer Epitaxieschicht und Epitaxiewafer

Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers zur Abscheidung einer Epitaxieschicht, unter der Annahme, dass eine Ziehgeschwindigkeit V (mm/min) ist und ein Temperaturgradient in axialer Richtung des Ingot G (°C/mm) in einem Temperaturbereich vom Schmelzpunkt des Siliciums bis 1300°C ist, umfassend die Stufen: Ziehen eines Siliciumeinkristall-Referenz-Ingot aus einer geschmolzenen Siliciumflussigkeit unter der Bedingung, dass es sich bei der Menge an in dem Referenz-Ingot dotieren Bor um eine Dichte von 4 × 10 18 Atome/cm 3 oder mehr handelt, wobei die Ziehgeschwindigkeit stufenweise verkleinert und anschliesend V/G verkleinert wird, In-Scheiben-Schneiden des Referenz-Ingot in axialer Richtung, um. ein festgelegtes kritisches Verhaltnis von V/G zu erhalten, wobei im Mittelteil des Referenz-Ingot ein oxidationsbedingter Stapelfehler verschwindet, wenn der Referenz-Ingot in einem Temperaturbereich von 1000°C ± 30°C 2 bis 5 h und anschliesend in einem Temperaturbereich von 1130°C ± 30°C 1 bis 16 h in einer Sauerstoffatmosphare warmebehandelt wird, Ziehen eines Siliciumeinkristall-Ingot aus einer geschmolzenen...