Finfet utilisant du ge et/ou un semi-conducteur composé du groupe iii-v et procédé de fabrication associé

La presente invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif de FinFET tridimensionnel, qui comprend les etapes consistant a : (a) fournir un substrat ; (b) former, sur le substrat, une couche composite de film sacrificiel constituee de multiples couches de film sacrificiel au moyen de plusieurs types de matieres, chaque matiere formant les couches de film sacrificiel etant constituee de substances qui ont des facteurs de morsure differents et des reactions differentes a un agent de gravure ; (c) former une structure de tranchee par modelage de la couche composite de film sacrificiel ; (d) former une couche de canal actif en faisant croitre du Ge et/ou des semi-conducteurs composes du groupe III-V a l'interieur de la structure de la tranchee ; (e) mettre a nu une partie de la couche de canal actif en effectuant une attaque chimique selective et en enlevant la couche de film sacrificiel du dessus de la couche composite de film sacrificiel ; (f) former sequentiellement un film dielectrique de porte et une porte metallique afin d'entourer la couche de canal actif a decouvert ; (g) former une source et un drain en n'attaquant qu'une zone specifique de la porte metallique ; et (h) former, sur les zones de source et de drain, un film de Ge et un film du groupe III-V comprenant des impuretes de type p et de type n.