半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端

【課題】 本発明は、低損失化及び偏波依存性の低減が図られた半導体先鋭構造及びその作製方法、並びにスポットサイズ変換器、無反射終端を提供すること。 【解決手段】 半導体細線光導波路のコア構造の端部に形成され、先鋭構造を構成する少なくとも一辺に傾斜した側壁を有する半導体先鋭構造であって、先端に向かって幅及び厚みが減少している半導体先鋭構造及び先鋭構造を構成することになる一辺を含む半導体細線光導波路のコア構造を形成する工程と、半導体細線光導波路のコア構造上にフォトレジストを塗布する工程と、先鋭構造を構成することになる他の一辺を一部に含むマスクパターンを用いて、先鋭構造を構成することになる他の一辺の外側の領域のフォトレジストが除去されるようにフォトレジストに開口を形成する工程と、開口下に位置する先鋭構造を構成することになる他の一辺の側壁が厚み方向に傾斜するようにドライエッチングする工程とを含むその作製方法。 【選択図】 図１