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Acemap > Paper > ALD法で作製したAl_2O_3/(Ta/Nb)O_x/Al_2O_3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

ALD法で作製したAl_2O_3/(Ta/Nb)O_x/Al_2O_3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

2014 
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