SH—CgHl6—SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性

我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH—C8H16—SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性。计算结果显示，在零偏压附近，存在一个电流禁区，随着偏压的增加，分子线的电导呈现出平台特征。该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计。