Film de depot chimique en phase vapeur forme par un procede cvd a plasma et methode de formation de ce film

L'invention concerne une methode de formation d'un film de depot en phase vapeur constitue d'oxyde de silicium sur une surface d'un substrat. Dans cette methode, le substrat a traiter est maintenu dans une chambre de traitement a plasma et un traitement par plasma chimique est effectue par l'injection d'un compose de silicium organique et d'un gaz d'oxydation dans la chambre de traitement. En changeant la vitesse d'injection du gaz d'oxydation lors de la formation d'un film de depot, tout en maintenant une vitesse d'injection du gaz de compose de silicium organique a une certaine vitesse fixe, on peut former un film par depot chimique en phase vapeur presentant une excellente adhesion, une excellente plasticite, une excellente souplesse et constituant une tres bonne barriere a oxygene et une tres bonne barriere a l'humidite.