Sinter d'oxyde, cible de pulvérisation l'utilisant et film d'oxyde

L'invention concerne un sinter d'oxyde destine a une cible de pulverisation qui permet d'ajouter des elements specifiques a partir d'une couche a semi-conducteurs de type n a une surface de couche a semi-conducteurs de type p d'une cellule solaire a film mince a base de composes. Le sinter d'oxyde contient du zinc, et au moins un type d'element (X) (sauf dans le cas ou seul du magnesium est ajoute) qui a un potentiel d'ionisation (Ip) de 4,5 eV ≤ Ip ≤ 8,0 eV, un rayon atomique (d) de 1,20 A ≤ d ≤ 2,50 A. De plus, le sinter d'oxyde a un rapport de composition (rapport atomique) de 0,0001 ≤ X/(Zn + X) ≤ 0,20, et une densite frittee d'au moins 95 %.