一种以绝缘基片为衬底的碳‑铝‑碳半导体薄膜材料及其制备方法

本发明涉及一种以绝缘基片为衬底的碳‑铝‑碳半导体薄膜材料及其制备方法，其为层状结构，由下至上依次为用作衬底的绝缘基片、第一层碳薄膜层、铝中间插层和第二层碳薄膜层；制备方法主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子顺次轰击不同靶材表面：先石墨靶材，在衬底表面上沉积第一层碳薄膜层，后铝金属靶材沉积铝中间插层，最后再石墨靶材沉积第二层碳薄膜层。本发明与纯碳薄膜产品相比，其电子浓度和电子迁移率分别至少提高了6个数量级和1个数量级，电阻率至少降低了4个数量级。本发明的工艺简单、参数控制简便；成品率高、产品质量稳定性与可靠性好，且制造成本低、适于工业化生产。