Fabrication de couches d'électrode/barrière de diffusion stables pour des dispositifs de skuttérudite remplis thermoélectriques

L'invention concerne des procedes de fabrication de jambes thermoelectriques de skutterudite remplies de type n et de type p d'un contact electrique. Un premier materiau de CoSi 2 et un dopant passent au broyeur a boulets pour former une premiere poudre qui est thermomecaniquement traitee avec une seconde pourdre de skutterudite de type n pour former une couche de skutterudite de type n disposee entre une premiere couche et une troisieme couche du CoSi dope 2 . De plus, une pluralite de composants, tels que le fer et le nickel, et au moins l'un du cobalt et du chrome passent au broyeur a boulets pour former une premiere poudre qui est thermomecaniquement traitee avec une couche de skutterudite de type p pour former une couche de skutterudite de type p, "deuxieme couche" disposee entre une premiere et une troisieme couche de la premiere poudre. La resistance de contact specifique entre la premiere couche et la couche de skutterudite pour les skutterudites a la fois de type n et de type p apres pressage a chaud est de moins d'environ 10,0 µΩ•cm 2 .