Procede de fabrication d'un circuit integre utilisant des semiconducteurs jumeles

L'invention concerne un circuit electronique a integration monolithique utilisant deux couches semiconductrices differentes separees par une couche dielectrique. Des transistors formes dans la couche semiconductrice superieure sont connectes a des transistors formes dans la couche semiconductrice inferieure par un câblage classique. De preference, une couche de transistors est de type N- ou P- et d'une polarite tandis que l'autre couche de transistors est de polarite opposee.