微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
1994
(57)【要約】
【目的】 シリコンウェハなどの平面状試料の表面に存 在する微小異物の存在位置を容易に検出し、分析、検 査、評価、加工するための方法を提供する。
【構成】 パーティクル検査装置のもつ座標上において 位置が求められた微小異物7に対して、これを網羅する 試料2表面上の範囲にビーム光6をスポット照射し、該 微小異物7の位置を定め、分析装置のもつ機能を用いて 選択的に表面観察、組成分析、表面加工などを行う。ま た、パーティクル検査装置で検出できないような微小異 物に対しても、これにビーム光6をスポット照射し、該 微小異物7の位置を定め、分析装置のもつ機能を用いて 選択的に表面観察、組成分析、表面加工などを行う。
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