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75nmゲートInAlAs/InGaAsH EMTにおける採用非対称ゲートリセス及び二重側ドープ構造によるf_max910GHzまでの増強【Powered by NICT】
75nmゲートInAlAs/InGaAsH EMTにおける採用非対称ゲートリセス及び二重側ドープ構造によるf_max910GHzまでの増強【Powered by NICT】
2017
Takahashi Tsuyoshi
Kawano Yoichi
Makiyama Kozo
Shiba Shoichi
Sato Masaru
Nakasha Yasuhiro
Hara Naoki
Keywords:
Aerospace engineering
Electronic engineering
Physics
Engineering physics
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