Old Web
English
Sign In
Acemap
>
Paper
>
Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
Высоковольтные лавинные 4H-SiC-диоды с охранной полуизолирующей областью
2021
П А Иванов
М.Ф. Кудояров
Н.М. Лебедева
Н.Д. Ильинская
Т. П. Самсонова
Correction
Source
Cite
Save
Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI
[]