周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電界放射型電子源およびその製造方法

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なって形成され且つ半導体基板の面内において半導体微結晶が周期的に形成された周期的ナノ構造体を容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列された複数の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 【選択図】図１