Dispositif et système d'imagerie à semi-conducteurs

L'invention porte sur un dispositif d'imagerie a semi-conducteurs qui est configure par la stratification d'un premier substrat ayant un dispositif de conversion photoelectrique et une electrode de grille d'un transistor de transfert, et d'un second substrat ayant une partie de circuit peripherique. Le premier substrat n'est pas pourvu de couche de compose metallique a haut point de fusion, alors que le second substrat est pourvu d'une couche de compose metallique a haut point de fusion. Cette configuration simple permet au transistor dans la partie de circuit peripherique de fonctionner a grande vitesse, tout en supprimant la deterioration des caracteristiques du dispositif de conversion photoelectrique, permettant ainsi une operation de lecture de signal a grande vitesse.