Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur

Cette invention concerne un procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, qui permet d'utiliser un film de fluorure de carbone (designe ci-apres par le terme "film FC") en tant que film isolant intercouche. On procede successivement au depot d'un film conducteur tel qu'un film de TiN (41) sur un film FC (4), et au depot, sur le meme modele, d'un film d'une matiere de protection (42) sur ledit film de TiN (41), puis on procede a une gravure du film de TiN (41) avec du trichlorure de bore (BCl3) gazeux ou un gaz analogue. Bien que l'irradiation subsequente de la plaquette resultante avec du plasma d'oxygene effectue une attaque chimique non seulement du film FC mais egalement du film de la matiere de protection (42), il est possible de former des trous preetablis par action du film de TiN (41) utilise en tant que masque. Le câblage est ensuite realise en aluminium ou en metal analogue a la surface du film FC (4). Le film de TiN (41) est efficace s'agissant de faire adherer etroitement l'un a l'autre le câblage et le film FC (4) et il constitue une partie du câblage. Il est possible d'utiliser un film isolant compose de SiO2 ou analogue en tant que masque a la place du film conducteur.