Poudre de nitrure de silicium, corps fritté en nitrure de silicium et substrat de circuit, et procédé de production de ladite poudre de nitrure de silicium

La presente invention aborde le probleme consistant a fournir : un corps fritte en nitrure de silicium et un substrat de circuit presentant a la fois une resistance mecanique elevee et une conductivite thermique elevee ; une poudre de nitrure de silicium utilisee en tant que materiau de depart pour ceux-ci ; et un procede de production de la poudre de nitrure de silicium. L'invention concerne une poudre de nitrure de silicium qui a une aire de surface specifique de 4,0 a 9,0 m 2 /g, un rapport de phase β inferieur a 40 %, et une teneur en oxygene de 0,20 a 0,95 % en masse, ladite poudre de nitrure de silicium dans laquelle : la courbe de distribution de frequence obtenue a partir d'une mesure de la distribution des tailles de particules volumetriques realisee par diffraction/diffusion laser comprend deux pics ; les sommets des pics sont respectivement a l'interieur de la plage allant de 0,4 a 0,7 µm, et a l'interieur de la plage allant de 1,5 a 3,0 µm ; le rapport (frequence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 0,4 a 0,7 µm/frequence du sommet du pic dans la plage de taille de particule de 1,5 a 3,0 µm) des frequences des sommets des pics est de 0,5 a 1,5 ; et le rapport (D50/D BET ) (µm/µm) entre le diametre median (D50) (µm) obtenu a partir de la mesure de distribution des tailles de particules et le diametre equivalent de l'aire de surface specifique (D BET (µm) calcule a partir de l'aire de surface specifique est d'au moins 3,5. L'invention concerne egalement : un corps fritte en nitrure de silicium et un substrat de circuit qui sont obtenus a partir de la poudre de nitrure de silicium ; et un procede de production de la poudre de nitrure de silicium.