Précurseurs de dihalogénure de germanium (ii) utilisés dans des dépôts de films contenant du germanium

L’invention concerne des molecules de formule GeX 2 - L n , dans laquelle X est halogenure; L est un adduit autre que C 4 H 8 O 2 ; et 0,5 ≤ n ≤ 2. Ces molecules presentent des points d'ebullition et/ou une volatitlite accrue comparees au GeCl 2 -dioxane. L'invention concerne en outre l'utilisation de telles molecules dans des depots de films minces, tels que des films a base de chalcogenure, de SiGe et de GeO 2 .