高密实率Cu（In，Ga）Se2陶瓷靶材制备和性能研究

采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材。考察烧结温度、烧结压力对靶材的相组成、形貌、成分的影响。实验结果表明，在烧结温度较低时，首先获得CuInSe2三元黄铜矿相结构，随着烧结温度的升高，Ga元素不断向CIS中扩散，并获得均质的CIGS四元靶材。通过增大烧结压力，可提高靶材密度。烧结时间的延长，对靶材的密实率无明显影响。在烧结温度900℃，烧结压力45MPa的条件下。获得密实率超过96％的靶材。