Technology of 4-Mbit dynamic RAM

Un prototype de memoire a acces direct de 4 Mbit en regime dynamique est mis au point pour etablir la technologie des processus et des circuits pour les memoires a acces direct de la generation suivante en regime dynamique. On obtient une densite d'integration elevee et une haute performance par une technologie CMOS a 2 couches d'aluminium et 3 couches de polycristal de 0,8 μm avec une nouvelle technique de circuit. L'amplificateur de detection avec torsion des lignes de commande donne un temps d'acces plus rapide. La fonction d'initialisation a grande vitesse et la fonction d'essai parallele de 8 bits sont realisees comme nouvelles fonctions. La derniere reduit le temps de verification qui croit en meme temps que la densite d'integration. Description des caracteristiques, technologie des processus et conception du circuit du prototype