Ébauche de masque et masques photographiques ayant des propriétés antiréfléchissantes

La presente invention traite d'ebauches de masques munies de revetements antireflechissants comprenant deux ou plusieurs sous-couches. De tels revetements antireflechissants a deux ou multiples couches presentent un avantage pour les ebauches de masques binaires et de dephasage pour l'utilisation dans la lithographie pour une longueur d'onde d'exposition de 300 nm ou moins avec des proprietes antireflechissantes ameliorees. Sont egalement concernes des ebauches de masques de lithographie par ultraviolets extremes ayant des proprietes d'inspection ameliorees.