Herstellverfahren für eine LED mit dicker Epitaxieschicht auf III-V-Halbleiterbasis und derartige LED

Herstellverfahren fur eine LED, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats; – Herstellen eines Musters auf einer Flache des Substrats fur epitaktische Zuchtung in einem selektiven Gebiet; – Herstellen eines GaN-Dickfilms mit einer schragen Flache auf dem Muster unter Verwendung eines Epitaxiezuchtungsverfahrens, wobei sich die schrage Flache in naturlicher Weise als Ergebnis der Eigenschaften von GaN bildet, und wobei die Oberflache des GaN-Dickfilms eine Ebene mit einer fur die Zwecke von Bauelementen geeigneten Flache ist; und – Herstellen einer LED-Struktur auf dem GaN-Dickfilm, wobei die LED-Struktur uber eine III-V-Verbindung der n-GaN-Reihe und eine III-V-Verbindung der p-GaN-Reihe verfugt und wobei die III-V-Verbindung der p-GaN-Reihe mit einer p-Elektrode mit niedrigem Ohmschem Kontaktwiderstand in elektrischer Verbindung steht und die III-V-Verbindung der n-GaN-Reihe mit einer n-Elektrode mit niedrigem Ohmschem Kontaktwiderstand in elektrischer Verbindung steht, um fur eine Durchlass-Vorspannung zu sorgen.