Ca^2＋对镉胁迫下玉米幼苗生长、光合特征和PSII功能的影响

为探究钙（Ca^2＋）对玉米镉（Cd）胁迫的缓解作用,采用盆栽试验,研究了根部施加外源Ca^2＋对Cd胁迫下玉米幼苗生长、光合特征及叶绿素荧光参数等生理指标的影响。结果显示,与对照（CK）相比,100mg/L的Cd处理显著降低了玉米幼苗株高、根、地上部生物量以及玉米叶片叶绿素a、叶绿素b和总叶绿素含量。同时,净光合速率（Pn）、气孔导度（Gs）、蒸腾速率（Tr）、PSⅡ最大光化学效率（Fv/Fm）、电子传递速率（ETR）、PSⅡ激发能捕获效率（Fv′/Fm′）、光化学淬灭系数（qP）和PSⅡ实际光化学效率（Φ（PSⅡ））显著下降,而非光化学淬灭系数（NPQ）和胞间CO2浓度（Ci）较CK显著上升。外源施加Ca^2＋可以有效增加镉胁迫下幼苗生物量的积累,明显提高叶绿素a、叶绿素b和叶绿素总量,升高Pn,Gs,Tr,Fv/Fm,ETR,Fv′/Fm′,降低NPQ和Ci,增加幼苗生物量积累,Ca^2＋浓度为7.5~10.0mmol/L时各指标变化幅度最明显,缓解胁迫的效果最佳。研究结果表明,Cd胁迫使玉米幼苗叶片PSⅡ原初光能转化效率降低,电子传递受到抑制,净光合速率降低。适宜浓度的外源Ca^2＋能有效缓解Cd对光合机构的伤害,增强幼苗叶片对光的捕获能力,促进光合作用,增加幼苗的生物量,增强玉米幼苗对Cd胁迫的抗性。