Procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur avec transistor a effet de champ

Selon le processus connu de remplacement de la grille d'un transistor, une grille polycristalline fortement ohmique est remplacee par une grille metallique faiblement ohmique par depot d'une epaisse couche d'oxyde et planarisation de cette couche par CMP, jusqu'a ce que ladite grille soit atteinte. Ensuite, cette grille peut etre selectivement retiree et remplacee par une grille metallique. Cette invention simplifie considerablement ce processus, la structure grille se presentant sous la forme d'un empilement constitue d'une grille polycristalline fictive (4) et d'une couche de nitrure (5), placee sur la grille polycristalline. L'etape de CMP se poursuit jusqu'a ce que cette couche de nitrure soit atteinte, ce qui empeche toute attaque de ladite grille polycristalline, laquelle est ensuite, avec la couche de nitrure, selectivement retiree de la couche d'oxyde (10).