Ge/ZnSe(100)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究
1997
利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnSe(100)极性界面的能带连接问题.表面灵敏的芯能级谱显示出Ge原子与Se原子在界面处存在较弱的化学反应.利用芯能级技术,测量了该异质结的价带偏移,为1.76±0.1eV.用界面键极性模型对ZnSe(100)极性表面对价带偏移的影响进行了讨论,理论与实验符合较好
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