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28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
2006
masami kasai
hirosi mizubayasi
hisanori tanimoto
kou sakata
mituyuki santyuu
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