Procedes pour integration de metal-oxyde-semi-conducteur complementaire a double grille metallique

L'invention concerne des procedes destines a fabriquer deux empilements de grilles metalliques pour des dispositifs a metal-oxyde-semi-conducteur complementaire (CMOS). Une premiere couche de metal peut etre deposee sur un dielectrique de grille. Ensuite, une couche de masque peut etre deposee sur la premiere couche de metal, puis gravee. La premiere couche de metal est alors gravee. Une seconde couche de metal peut etre deposee sans enlevement de la couche de masque. Dans un mode de realisation, la couche de masque est une seconde couche de metal. Dans d'autres modes de realisation, la couche de masque est une couche de silicium. Les etapes de fabrication subsequentes consistent a deposer une autre couche de metal (par ex., une autre couche de metal PMOS), a deposer une coiffe de facon a definir des empilements de grilles, et a graver simultanement les premiere et seconde zones de grilles presentant une epaisseur similaire avec des couches de metal differentes.