반도체 : PMOSFET의 채널 길이에 따른 NBTI 스트레스와 CHC 스트레스의 신뢰성 특성 비교 분석

채널 길이가 줄어듦에 따른 PMOSFET에서의 NBTI (negative bias temperature instablilty) and CHC (channel hot carrier) 특성을 연구하였다. PMOSFET에서 핫캐리어 스트레스 이후의 수명이 NBTI 스트레스 이후의 수명보다 더 크다고 보고되어 왔다. 하지만 채널 길이가 짧은 PMOFET에서 NBTI 스트레스에 따른 열화보다 CHC 스트레스에 따른 열화가 더 크게 나타났다. 이러한 여화 특성을 분석하기 위해 플리커 잡음과 전하 펌핑 기술이 사용되었다.