新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术
1999
阐述了新型功率半导体器件--集成门极换向型晶闸管IGCT(InjtegratedGate Commutated Thyristor)的基本工作原理和关键设计技术。IGCT在GTO技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具GTO爱损耗低和IGBT关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。
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