Design, intégration technologique et caractérisation d'architectures de diodes JBS en carbure de silicium

Ce travail de these est consacre a la conception et a la fabrication de diodes JBS en carbure de silicium. Une premiere partie de ce travail a consiste a concevoir par simulation une protection peripherique de la diode la plus efficace possible en reduisant sa sensibilite a la technologie (charges dans l’oxyde et activation des dopants). L’impact de la geometrie de l’anode de la diode JBS sur le champ electrique maximum sous le contact Schottky en inverse et la resistance serie de la diode a l’etat passant a ete etudie. Une nouvelle architecture de diode JBS, a base de tranchees implantees, a ete proposee pour pallier les limitations liees aux faibles profondeurs d’implantation d’Al. Une deuxieme partie de ce travail a concerne le developpement de briques technologiques, indispensables a la fabrication de la diode JBS, tels que les contacts metalliques et la gravure. Enfin, la fabrication complete et la caracterisation electrique de diodes ont ete realisees afin de valider les elements de conception et l’integration des briques technologiques developpees durant cette these.