Etude par diffraction des rayons X et microscopie électronique en transmission de couches GaInAs déposées sur substrat {111} vicinal : relation entre contraintes, structure et composition chimique

Le travail presente dans ce memoire vise a mieux comprendre les mecanismes mis en jeu lors de la relaxation de couches epitaxiees GaInAs deposees sur substrat GaAs vicinal {111}. L'angle de coupe, necessaire pour garantir une croissance bidimensionnelle de la couche, est a l'origine d'une forte anisotropie de relaxation. Une methode de caracterisation par diffraction des rayons X, ne necessitant aucune hypothese prealable sur l'etat de contrainte, a ete developpee pour determiner precisement la composition chimique et l'etat de relaxation des couches. Elle a permis de montrer, pour des couches d'epaisseur de l'ordre du micrometre, qu'il existe une importante rotation des plans cristallins de la couche et que la relaxation se produit tres majoritairement suivant la direction de l'angle de coupe. Les observations fournies par la microscopie electronique viennent confirmer ce resultat. La relaxation plastique se produit par generation de fautes d'empilement intrinseques bordees par des dislocations partielles. Pour expliquer les mecanismes ayant conduit a cette anisotropie, l'effet des bords de marches et la nature des defauts sont consideres.