고주파용 디커플렁 임베디드 캐패시터에 관한 연구

본 논문에서는 전극들이 통일한 평면상에 놓이고， Gap에 의하여 유전간격을 형성한 새로운 구조의 임베디드 캐패시터(EC)를 제안하였다. 제안된 EC의 이름을 Gap type EC라고 하고， 유한요소법으로 그 특성을 평가하였다. Gap type EC의 공진주파수는 기존의 EC에 비하여 고주파 대역으로 이동되었다. 또한 공진주파수는 전극의 크기와 두께에 따라 변화되었다. Gap type EC는 Gap size가 50㎛일 때 55㎊/㎠의 정전용량을 나타내었다. 이 값은 기존의 EC가 나타내는 25㎊/㎠에 비하여 높은 값이다. 따라서 본 논문에서 제안한 Gap type EC는 고주파 디커플링 용도로 충분히 사용될 수 있을 것이다.