Junction and the cathode gate thyristor structure having the gate commutated thyristor
2013
本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管,晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。 N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布,阴极金属电极设置在N+发射区外表面,门极金属电极设置在P+短基区外表面。 晶闸管的门阴极结为二层台阶结构,第一层台阶为浅台阶,第一层台阶的底部为P+N+边界。 第二层台阶为深台阶,第二层台阶的底部为PN+边界。 具有该结构的门极换流晶闸管进一步包括N′缓冲层和P+阳极区。 本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合,增强晶闸管的电导调制效应,并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
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